分立器件IGBT、MOS、FRD动态参数测试

   IGBT/MOS：

   t_don, t_r, t_doff, t_f, E_on, E_off;

 测试条件：

   V_CE/V_DS:1000V

   I_CE/I_DS:150A

   FRD：

   t_rr, I_rr, Q_r, E_rec;

  测试条件：

   V_r:1000V

   I_F:100A

   di/dt:100~2000A/μs

大功率模块器件IGBT、MOS、FRD动态参数测试

  IGBT/MOS：

   t_don, t_r, t_doff, t_f, E_on, E_off;

 测试条件：

   V_CE/V_DS:2000V

   I_CE/I_DS:4000A

 FRD： 

   t_rr, I_rr, Q_r, E_rec;

 测试条件：

   V_r:2000V

   I_F:4000A

   di/dt:1000~20000A/μs

大功率模块IGBT短路安全工作区测试

 IGBT SCSOA

 测试条件:

   V_CC:2000V

   I_SC:10000A

   t_SC:3~100μs

高温反偏老化测试

 符合标准：MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等标准。

适用范围：

  适用于各种封装形式的二极管(GPP/SKY)、三极管、场效应管、

可控硅、IGBT等器件进行高温反偏试验(HTRB)和高温漏流测试试验（HTIR）。

IGTB/MOS功率循环老化测试

 符合标准：

   MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等试验标准。

 适用范围：

   适用于各种封装形式的大功率IGBT、MOS管功率循环寿命试验。

 技术特点：

   ①  试验电流ICE / IDS设定。

   ②  每个试验通道的风散热风道、ON/OFF控制系统都完全独立。

   ③  监控样管的管壳温度TC。